Hynix patvirtino naujus DDR3 modulius, tai 1GB DDR3 SDRAM komponentai pagaminti pagal 80 nm technologiją. Jų darbo dažniai 800MHz arba 1066MHz naudojant 1.5V įtampą. Šie greičiai kombinuojami su tokiais vėlinimais, tai 5-5-5 ir 6-6-6 800MHz, bei 7-7-7 skirti 1066MHz dažniui. DDR3 tai kitos kartos DRAM sąsaja, kuri tikimasi pakeis dabar esamus DDR2 produktus. DDR3 paklausa bus jaučiama jau metų gale. Iki 2008 metų pabaigos, DDR3 atmintis sudarys 25% visos DRAM paklausos. Na, o dominuos rinkoje 2010 metais. Masinė 1Gb DDR3 gamyba pagal 80nm technologiją bus pradėta šių metų trečiame ketvirtyje. Hynix 2007 pabaigoje jau planuoja DDR3 gaminti pagal 66nm technologiją.

Parašė: zveriukas